Компания Samsung сделала значительный шаг в развитии микросхем DDR5 DRAM, представив первую в мире 32-гигабитную микросхему. Микросхема была разработана с использованием 12-нм технологического процесса DRAM и предлагает увеличенную плотность хранения данных при более низком энергопотреблении. Это достижение позволит Samsung создавать модули DIMM с большей емкостью. Например, можно будет создавать модули памяти объемом 1 ТБ, состоящие из 40 стеков памяти 8-Hi 3DS с использованием микросхем емкостью 32 Гб. Несмотря на первоначальное впечатление чрезмерности такой большой памяти, она станет весьма важной для серверов, работающих с искусственным интеллектом, обработкой больших объемов данных и управлением базами данных, обеспечивая вычислительную мощность, необходимую для решения сложных задач. Также стоит отметить, что ранее существовали слухи о возможной сделке между Samsung и AMD относительно производства будущих микросхем для центров обработки данных. Эти слухи утверждали, что Samsung получила заказы на производство 4-нм микросхем от одного из крупных заказчиков ЦОД, возможно, AMD.
Разное
